casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTN62N50L
codice articolo del costruttore | IXTN62N50L |
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Numero di parte futuro | FT-IXTN62N50L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTN62N50L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 550nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN62N50L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTN62N50L-FT |
IXFN44N100Q3
IXYS
IXFN44N80P
IXYS
IXFN48N60P
IXYS
IXFN50N120SK
IXYS
IXFN64N60P
IXYS
IXFN90N30
IXYS
IXTN110N20L2
IXYS
IXTN17N120L
IXYS
IXTN200N10T
IXYS
IXTN210P10T
IXYS
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel