casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTQ56N15T
codice articolo del costruttore | IXTQ56N15T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTQ56N15T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTQ56N15T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ56N15T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTQ56N15T-FT |
IXFQ60N25X3
IXYS
IXFQ28N60P3
IXYS
IXTQ36P15P
IXYS
IXFQ30N60X
IXYS
IXTQ450P2
IXYS
IXFQ34N50P3
IXYS
IXTQ60N20L2
IXYS
IXTQ460P2
IXYS
IXFQ50N50P3
IXYS
IXTQ88N30P
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel