casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFQ60N25X3
codice articolo del costruttore | IXFQ60N25X3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFQ60N25X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFQ60N25X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3610pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 320W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ60N25X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFQ60N25X3-FT |
IXTP8N65X2
IXYS
IXTP8N65X2M
IXYS
IXTP8N70X2
IXYS
IXTP90N055T2
IXYS
IXFP20N85X
IXYS
IXTP44N30T
IXYS
IXFP38N30X3
IXYS
IXFP5N50P3
IXYS
IXTP15N50L2
IXYS
IXCP01N90E
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel