casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTP26P10T
codice articolo del costruttore | IXTP26P10T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXTP26P10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchP™ |
IXTP26P10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP26P10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTP26P10T-FT |
IXTP06N120P
IXYS
IXTP08N100P
IXYS
IXTP08N120P
IXYS
IXTP10N60P
IXYS
IXTP10P15T
IXYS
IXTP110N055T2
IXYS
IXTP120N04T2
IXYS
IXTP120N075T2
IXYS
IXTP120P065T
IXYS
IXTP12N50P
IXYS
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.