casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTP08N100P
codice articolo del costruttore | IXTP08N100P |
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Numero di parte futuro | FT-IXTP08N100P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Polar™ |
IXTP08N100P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP08N100P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTP08N100P-FT |
IXTH72N20T
IXYS
IXTH72N30T
IXYS
IXTH74N15T
IXYS
IXTH75N15
IXYS
IXTH88N15
IXYS
IXTH90N15T
IXYS
IXTH98N20T
IXYS
IXTP80N10T
IXYS
IXTP76P10T
IXYS
IXTP26P20P
IXYS
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel