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IXYS IXTP110N12T2

Numero parte MFG
IXTP110N12T2
quantità disponibile
78430 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.36
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
TrenchT2™ 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXTP110N12T2
Numero di parte futuro FT-IXTP110N12T2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchT2™
IXTP110N12T2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6570pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 517W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP110N12T2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTP110N12T2-FT

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