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IXYS IXTH10N100D

Numero parte MFG
IXTH10N100D
quantità disponibile
84340 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 8.1672
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXTH10N100D specificazioni

codice articolo del costruttore IXTH10N100D
Numero di parte futuro FT-IXTH10N100D
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTH10N100D Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH10N100D Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTH10N100D-FT

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