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IXYS IXTP08N100D2

Numero parte MFG
IXTP08N100D2
quantità disponibile
77750 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.336
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXTP08N100D2
Numero di parte futuro FT-IXTP08N100D2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTP08N100D2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP08N100D2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTP08N100D2-FT

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