casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH68P20T
codice articolo del costruttore | IXTH68P20T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH68P20T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchP™ |
IXTH68P20T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 33400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 568W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH68P20T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH68P20T-FT |
IXFR80N20Q
IXYS
IXFR90N20
IXYS
IXFR90N20Q
IXYS
IXFR9N80Q
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IXFJ26N50P3
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IXTJ4N150
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IXTJ6N150
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IXTR120P20T
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IXTX4N300P3HV
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IXTX1R4N450HV
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