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IXYS IXTM35N30

Name: IXTM35N30
Brand: IXYS
SKU: IXTM35N30
Availability: InStock
Rating: 4.8 (793 reviews)

Numero parte MFG: IXTM35N30

quantità disponibile: 91580 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: GigaMOS™ POWER MOSFET TO-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTM35N30.pdf

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IXTM35N30 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTM35N30
Numero di parte futuro	FT-IXTM35N30
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™
IXTM35N30 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4600pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-204AE
Pacchetto / caso	TO-204AE
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTM35N30 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTM35N30-FT

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