casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFM10N90
codice articolo del costruttore | IXFM10N90 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFM10N90 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFM10N90 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFM10N90 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFM10N90-FT |
IRFC4568EF
Infineon Technologies
IRFC4668D
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IRFC4668EF
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XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation