casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR80N20Q
codice articolo del costruttore | IXFR80N20Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR80N20Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR80N20Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 71A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR80N20Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR80N20Q-FT |
IXFX32N50Q
IXYS
IXFX38N80Q2
IXYS
IXFX44N50Q
IXYS
IXFX44N55Q
IXYS
IXFX50N50
IXYS
IXFX52N60Q2
IXYS
IXFX60N55Q2
IXYS
IXFX62N25
IXYS
IXFX64N50P
IXYS
IXFX66N50Q2
IXYS
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel