casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR32N100Q3
codice articolo del costruttore | IXFR32N100Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR32N100Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR32N100Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9940pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 570W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR32N100Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR32N100Q3-FT |
IXTX120N65X2
IXYS
IXFX48N60Q3
IXYS
IXFX55N50F
IXYS-RF
IXFX120N30P3
IXYS
IXFX21N100F
IXYS-RF
IXFX150N30P3
IXYS
IXFX160N30T
IXYS
IXTX90P20P
IXYS
IXFX24N100Q3
IXYS
IXFX320N17T2
IXYS
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel