casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH180N10T
codice articolo del costruttore | IXTH180N10T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH180N10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXTH180N10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH180N10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH180N10T-FT |
IXFR230N20T
IXYS
IXFR24N100Q3
IXYS
IXFR24N80P
IXYS
IXFR24N90P
IXYS
IXFR26N100P
IXYS
IXFR26N120P
IXYS
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IXYS
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGXMA3E1H29I2N
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