casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR24N100Q3
codice articolo del costruttore | IXFR24N100Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR24N100Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR24N100Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR24N100Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR24N100Q3-FT |
IXFX66N85X
IXYS
IXFX64N60P3
IXYS
IXFX64N50Q3
IXYS
IXFX120N25P
IXYS
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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