casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH12N150
codice articolo del costruttore | IXTH12N150 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH12N150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH12N150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH12N150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH12N150-FT |
IXFR13N50
IXYS
IXFR14N100Q2
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IXFR150N15
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IXFR15N80Q
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IXFR180N085
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IXFR180N10
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IXFR180N15P
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IXFR21N100Q
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IXFR24N100
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IXFR24N50
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