casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR21N100Q
codice articolo del costruttore | IXFR21N100Q |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR21N100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR21N100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR21N100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR21N100Q-FT |
IXTX550N055T2
IXYS
IXTX600N04T2
IXYS
IXTX8N150L
IXYS
IXFX150N15
IXYS
IXTX5N250
IXYS
IXFX180N07
IXYS
IXFX180N10
IXYS
IXFX24N100
IXYS
IXTX110N20L2
IXYS
IXFX100N25
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel