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IXYS IXTD4N80P-3J

Numero parte MFG
IXTD4N80P-3J
quantità disponibile
52870 pezzi
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
PolarHV™ MOSFET N-CH 800
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXTD4N80P-3J specificazioni

codice articolo del costruttore IXTD4N80P-3J
Numero di parte futuro FT-IXTD4N80P-3J
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PolarHV™
IXTD4N80P-3J Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD4N80P-3J Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTD4N80P-3J-FT

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