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IXYS IXTD1R4N60P 11

Name: IXTD1R4N60P 11
Brand: IXYS
SKU: IXTD1R4N60P 11
Availability: InStock
Rating: 4.9 (27 reviews)

Numero parte MFG: IXTD1R4N60P 11

quantità disponibile: 17880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: PolarHV™ MOSFET N-CH 600V

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTD1R4N60P 11.pdf

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IXTD1R4N60P 11 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTD1R4N60P 11
Numero di parte futuro	FT-IXTD1R4N60P 11
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PolarHV™
IXTD1R4N60P 11 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD1R4N60P 11 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTD1R4N60P 11-FT

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