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IXYS IXFA8N85XHV

Numero parte MFG
IXFA8N85XHV
quantità disponibile
79080 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.16
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFA8N85XHV specificazioni

codice articolo del costruttore IXFA8N85XHV
Numero di parte futuro FT-IXFA8N85XHV
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFA8N85XHV Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263HV
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA8N85XHV Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFA8N85XHV-FT

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