casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXKR25N80C
codice articolo del costruttore | IXKR25N80C |
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Numero di parte futuro | FT-IXKR25N80C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IXKR25N80C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 355nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKR25N80C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXKR25N80C-FT |
IXFN66N50Q2
IXYS
IXFN72N55Q2
IXYS
IXFN73N30Q
IXYS
IXFN80N48
IXYS
IXFN80N50Q2
IXYS
IXTE250N10
IXYS
IXTN120N25
IXYS
IXTN120P20T
IXYS
IXTN21N100
IXYS
IXTN320N10T
IXYS
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel