casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXGH60N30C3
codice articolo del costruttore | IXGH60N30C3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXGH60N30C3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGH60N30C3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 420A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 300W |
Cambiare energia | 150µJ (on), 300µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 101nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/108ns |
Condizione di test | 200V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXGH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGH60N30C3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGH60N30C3-FT |
IXGX72N60B3H1
IXYS
IXGX72N60C3H1
IXYS
IXGX82N120A3
IXYS
IXSX35N120BD1
IXYS
IXSX40N60BD1
IXYS
IXSX40N60CD1
IXYS
IXSX50N60AU1
IXYS
IXSX50N60BD1
IXYS
IXSX50N60BU1
IXYS
IXSX80N60B
IXYS
A1010B-PL68C
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C8
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C4G
Intel
EP4CE30F29C7
Intel