casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXSX50N60BU1
codice articolo del costruttore | IXSX50N60BU1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXSX50N60BU1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXSX50N60BU1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 300W |
Cambiare energia | 3.3mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 167nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 70ns/150ns |
Condizione di test | 480V, 50A, 2.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSX50N60BU1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXSX50N60BU1-FT |
IXGA36N60A3
IXYS
IXGA42N30C3
IXYS
IXGA48N60A3
IXYS
IXGA48N60B3
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IXGA48N60C3
IXYS
IXXA50N60B3
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IXYA20N65B3
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IXYA20N65C3
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IXYA20N65C3D1
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IXGA20N120
IXYS