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IXYS IXFX220N17T2

Numero parte MFG
IXFX220N17T2
quantità disponibile
88230 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7.1832
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXFX220N17T2
Numero di parte futuro FT-IXFX220N17T2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
IXFX220N17T2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 170V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 31000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX220N17T2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFX220N17T2-FT

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