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IXYS IXTA02N250

Name: IXTA02N250
Brand: IXYS
SKU: IXTA02N250
Availability: InStock
Rating: 4.7 (117 reviews)

Numero parte MFG: IXTA02N250

quantità disponibile: 69930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTA02N250.pdf

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IXTA02N250 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTA02N250
Numero di parte futuro	FT-IXTA02N250
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTA02N250 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	2500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	116pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXTA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA02N250 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTA02N250-FT

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