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IXYS IXFX170N20T

Numero parte MFG
IXFX170N20T
quantità disponibile
74190 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7.5112
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
GigaMOS™ MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFX170N20T specificazioni

codice articolo del costruttore IXFX170N20T
Numero di parte futuro FT-IXFX170N20T
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™
IXFX170N20T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1150W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX170N20T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFX170N20T-FT

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