casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV12N120PS
codice articolo del costruttore | IXFV12N120PS |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV12N120PS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFV12N120PS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV12N120PS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV12N120PS-FT |
IRFS4321-7PPBF
Infineon Technologies
IRFS7430-7PPBF
Infineon Technologies
IRLBD59N04ETRLP
Infineon Technologies
IRLC3813EB
Infineon Technologies
IRLC4030EB
Infineon Technologies
IRLC8256ED
Infineon Technologies
IRLC8259EB
Infineon Technologies
IRLC8259ED
Infineon Technologies
IRLC8743EB
Infineon Technologies
IRLI510ATU
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel