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Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP

Name: IRLBD59N04ETRLP
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLBD59N04ETRLP
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Numero parte MFG: IRLBD59N04ETRLP

quantità disponibile: 29170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLBD59N04ETRLP.pdf

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IRLBD59N04ETRLP specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLBD59N04ETRLP
Numero di parte futuro	FT-IRLBD59N04ETRLP
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLBD59N04ETRLP Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263-5
Pacchetto / caso	TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLBD59N04ETRLP Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLBD59N04ETRLP-FT

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