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IXYS IXFV110N10P

Numero parte MFG
IXFV110N10P
quantità disponibile
53120 pezzi
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
PolarHT™ HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXFV110N10P
Numero di parte futuro FT-IXFV110N10P
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PolarHT™ HiPerFET™
IXFV110N10P Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3550pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS220
Pacchetto / caso TO-220-3, Short Tab
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFV110N10P Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFV110N10P-FT

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