casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTK102N30P
codice articolo del costruttore | IXTK102N30P |
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Numero di parte futuro | FT-IXTK102N30P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTK102N30P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 102A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 (IXTK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK102N30P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTK102N30P-FT |
IXFK120N30P3
IXYS
IXFK300N20X3
IXYS
IXFK210N30X3
IXYS
IXFK24N100
IXYS
IXFK170N20T
IXYS
IXTK170P10P
IXYS
IXFB150N65X2
IXYS
IXFB70N60Q2
IXYS
IXFK140N20P
IXYS
IXFK230N20T
IXYS
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel