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IXYS IXFT58N20Q TRL

Numero parte MFG
IXFT58N20Q TRL
quantità disponibile
49420 pezzi
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IXFT58N20Q TRL
Numero di parte futuro FT-IXFT58N20Q TRL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFT58N20Q TRL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 (IXFT)
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT58N20Q TRL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFT58N20Q TRL-FT

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