casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK210N17T
codice articolo del costruttore | IXFK210N17T |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK210N17T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFK210N17T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 170V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK210N17T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK210N17T-FT |
IXFK32N100Q3
IXYS
IXFK32N80Q3
IXYS
IXFK90N20Q
IXYS
IXFK80N50Q3
IXYS
IXFK64N50Q3
IXYS
IXFL132N50P3
IXYS
IXFK150N30P3
IXYS
IXFK140N25T
IXYS
IXFB44N100Q3
IXYS
IXFB110N60P3
IXYS
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel