casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR90N30
codice articolo del costruttore | IXFR90N30 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR90N30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR90N30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR90N30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR90N30-FT |
IXFX360N10T
IXYS
IXFX40N90P
IXYS
IXFX420N10T
IXYS
IXFX44N60
IXYS
IXFX44N80Q3
IXYS
IXFX48N60P
IXYS
IXFX520N075T2
IXYS
IXFX55N50
IXYS
IXFX78N50P3
IXYS
IXFX80N50P
IXYS
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel