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IXYS IXFX360N10T

Name: IXFX360N10T
Brand: IXYS
SKU: IXFX360N10T
Price: 6.9208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (487 reviews)

Numero parte MFG: IXFX360N10T

quantità disponibile: 35970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 6.9208

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: GigaMOS™ HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFX360N10T.pdf

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IXFX360N10T specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFX360N10T
Numero di parte futuro	FT-IXFX360N10T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™ HiPerFET™
IXFX360N10T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	360A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	525nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	33000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS247™-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFX360N10T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFX360N10T-FT

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