casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR48N60Q3
codice articolo del costruttore | IXFR48N60Q3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFR48N60Q3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR48N60Q3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7020pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR48N60Q3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR48N60Q3-FT |
IXFX27N80Q
IXYS
IXFX32N100Q3
IXYS
IXFX32N80P
IXYS
IXFX32N90P
IXYS
IXFX360N10T
IXYS
IXFX40N90P
IXYS
IXFX420N10T
IXYS
IXFX44N60
IXYS
IXFX44N80Q3
IXYS
IXFX48N60P
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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LFXP2-30E-6FT256I
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