casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFR100N25
codice articolo del costruttore | IXFR100N25 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFR100N25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR100N25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 87A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR100N25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFR100N25-FT |
IXFX80N50P
IXYS
IXFX80N60P3
IXYS
IXFX90N60X
IXYS
IXTX120P20T
IXYS
IXTX170P10P
IXYS
IXTX17N120L
IXYS
IXTX200N10L2
IXYS
IXTX20N150
IXYS
IXTX210P10T
IXYS
IXTX24N100
IXYS