casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTX200N10L2
codice articolo del costruttore | IXTX200N10L2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTX200N10L2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Linear L2™ |
IXTX200N10L2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTX200N10L2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTX200N10L2-FT |
IXTA2N100
IXYS
IXTA2N100P
IXYS
IXTA2N80
IXYS
IXTA2N80P
IXYS
IXTA36N20T
IXYS
IXTA36N30T
IXYS
IXTA38N15T
IXYS
IXTA3N50P
IXYS
IXTA3N60P
IXYS
IXTA44N25T
IXYS
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel