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IXYS IXTP8N65X2M

Name: IXTP8N65X2M
Brand: IXYS
SKU: IXTP8N65X2M
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (588 reviews)

Numero parte MFG: IXTP8N65X2M

quantità disponibile: 18870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.48

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTP8N65X2M.pdf

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IXTP8N65X2M specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTP8N65X2M
Numero di parte futuro	FT-IXTP8N65X2M
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTP8N65X2M Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	32W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP8N65X2M Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTP8N65X2M-FT

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