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IXYS IXFQ50N60P3

Name: IXFQ50N60P3
Brand: IXYS
SKU: IXFQ50N60P3
Price: 5.6 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (249 reviews)

Numero parte MFG: IXFQ50N60P3

quantità disponibile: 92250 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.6

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™, Polar3™ MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFQ50N60P3.pdf

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IXFQ50N60P3 specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFQ50N60P3
Numero di parte futuro	FT-IXFQ50N60P3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, Polar3™
IXFQ50N60P3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1040W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ50N60P3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFQ50N60P3-FT

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