casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP56N30X3
codice articolo del costruttore | IXFP56N30X3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP56N30X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP56N30X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3.75nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 320W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP56N30X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP56N30X3-FT |
IXTH64N65X
IXYS
IXTH68P20T
IXYS
IXTH6N120
IXYS
IXTH76N25T
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IXTH1N200P3
IXYS
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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