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IXYS IXFN50N120SIC

Name: IXFN50N120SIC
Brand: IXYS
SKU: IXFN50N120SIC
Price: 49.1776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (297 reviews)

Numero parte MFG: IXFN50N120SIC

quantità disponibile: 53230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 49.1776

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFN50N120SIC.pdf

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IXFN50N120SIC specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFN50N120SIC
Numero di parte futuro	FT-IXFN50N120SIC
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXFN50N120SIC Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 20V
Vgs (massimo)	+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN50N120SIC Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFN50N120SIC-FT

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