casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH26N55Q
codice articolo del costruttore | IXFH26N55Q |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFH26N55Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH26N55Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH26N55Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH26N55Q-FT |
IXFH9N80
IXYS
IXFH100N25P
IXYS
IXFH10N100P
IXYS
IXFH10N80P
IXYS
IXFH110N10P
IXYS
IXFH110N15T2
IXYS
IXFH110N25T
IXYS
IXFH120N20P
IXYS
IXFH120N25T
IXYS
IXFH12N120P
IXYS