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IXYS IXFH26N55Q

Name: IXFH26N55Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH26N55Q
Availability: InStock
Rating: 5.0 (327 reviews)

Numero parte MFG: IXFH26N55Q

quantità disponibile: 32850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: HiPerFET™ MOSFET N-CH 550V 26A TO-247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFH26N55Q.pdf

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IXFH26N55Q specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFH26N55Q
Numero di parte futuro	FT-IXFH26N55Q
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFH26N55Q Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH26N55Q Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFH26N55Q-FT

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