casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN260N17T
codice articolo del costruttore | IXFN260N17T |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN260N17T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFN260N17T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 170V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 245A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1090W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN260N17T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN260N17T-FT |
IXFN90N85X
IXYS
IXFN50N80Q2
IXYS
IXFN210N20P
IXYS
IXFN60N60
IXYS
IXFN50N120SIC
IXYS
IXFN70N120SK
IXYS
IXKN40N60C
IXYS
IXKN45N80C
IXYS
IXFN170N25X3
IXYS
IXFN44N80Q3
IXYS
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel