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IXYS IXFN160N30T

Name: IXFN160N30T
Brand: IXYS
SKU: IXFN160N30T
Price: 17.408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (168 reviews)

Numero parte MFG: IXFN160N30T

quantità disponibile: 74450 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 17.408

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: GigaMOS™ MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXFN160N30T.pdf

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IXFN160N30T specificazioni

codice articolo del costruttore	IXFN160N30T
Numero di parte futuro	FT-IXFN160N30T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™
IXFN160N30T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	335nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	28000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN160N30T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXFN160N30T-FT

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