casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH36N60P
codice articolo del costruttore | IXFH36N60P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH36N60P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFH36N60P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 650W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH36N60P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH36N60P-FT |
IXFH15N80Q
IXYS
IXFH15N100Q3
IXYS
IXFH24N50
IXYS
IXFH76N07-11
IXYS
IXFH150N30X3
IXYS
IXFH320N10T2
IXYS
IXFH170N25X3
IXYS
IXFH21N50F
IXYS-RF
IXFH16N50P
IXYS
IXFH70N20Q3
IXYS
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel