casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN110N85X
codice articolo del costruttore | IXFN110N85X |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN110N85X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN110N85X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 850V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 425nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN110N85X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN110N85X-FT |
IXTN22N100L
IXYS
IXFN82N60P
IXYS
IXFN24N100
IXYS
IXTN170P10P
IXYS
IXFN100N50P
IXYS
IXFN160N30T
IXYS
IXFN26N90
IXYS
IXTN660N04T4
IXYS
IXFN200N07
IXYS
IXTN90N25L2
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel