casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFM11N80
codice articolo del costruttore | IXFM11N80 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFM11N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFM11N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFM11N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFM11N80-FT |
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M1A3P1000L-FGG144
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