casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK64N60P3
codice articolo del costruttore | IXFK64N60P3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK64N60P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, Polar3™ |
IXFK64N60P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK64N60P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK64N60P3-FT |
APT38M50J
Microsemi Corporation
APT40M35JVFR
Microsemi Corporation
APT40M42JN
Microsemi Corporation
APT40M70JVFR
Microsemi Corporation
APT40M75JN
Microsemi Corporation
APT45M100J
Microsemi Corporation
APT5012JN
Microsemi Corporation
APT50MC120JCU2
Microsemi Corporation
APT50N60JCU2
Microsemi Corporation
APT5510JFLL
Microsemi Corporation
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel