casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT45M100J
codice articolo del costruttore | APT45M100J |
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Numero di parte futuro | FT-APT45M100J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT45M100J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT45M100J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT45M100J-FT |
APT31M100B2
Microsemi Corporation
APT43F60B2
Microsemi Corporation
APT50M80B2VRG
Microsemi Corporation
APT56F60B2
Microsemi Corporation
APT6017B2LLG
Microsemi Corporation
APT75M50B2
Microsemi Corporation
APT84F50B2
Microsemi Corporation
APT84M50B2
Microsemi Corporation
APT5010JVRU2
Microsemi Corporation
APT50M65JFLL
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel