casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK55N50F
codice articolo del costruttore | IXFK55N50F |
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Numero di parte futuro | FT-IXFK55N50F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerRF™ |
IXFK55N50F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 560W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK55N50F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK55N50F-FT |
APT22F80S
Microsemi Corporation
APT10078SLLG
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APT47N60SC3G
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APT5014SLLG
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
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EP2AGX45DF29I3
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